Điện thoại
Samsung sẵn sàng trang bị DRAM chuẩn LPDDR5 và chip nhớ UFS 3.0 cho Galaxy S10

Samsung sẵn sàng trang bị DRAM chuẩn LPDDR5 và chip nhớ UFS 3.0 cho Galaxy S10

Theo leaker uy tín @Universe Ice, Samsung sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM chuẩn LPDDR5 và chip nhớ UFS 3.0 ngay trong nửa cuối năm nay. Vì thế, Galaxy S10 sẽ là thiết bị đầu tiên được trang bị những linh kiện tiên tiến này.

Đây là thông tin không thể hấp dẫn hơn với các fan của Samsung bởi với sức mạnh của Galaxy S10 sẽ được tăng lên đáng kể với các linh kiện thế hệ mới kể trên.

 

Samsung sẵn sàng
trang bị DRAM chuẩn LPDDR5 và chip nhớ UFS 3.0 cho Galaxy
S10

 

Với tốc độ lên tới 23.2 Gbps, chip nhớ UFS 3.0 được cho là có băng thông cao gấp đôi so với UFS 2.1. Nó cũng tiêu thụ ít điện năng hơn và có thể sử dụng trong cả ngành công nghiệp ô tô. Trong khi đó, LPDDR5 có hiệu suất cao hơn 10% và khả năng sử dụng điện hiệu quả hơn 15% so với thế hệ trước.

Ngoài ra, theo tin đồn, Galaxy S10 còn được trang bị nhiều công nghệ tiên tiến khác như cảm biến vân tay dưới màn hình, khả năng nhận dạng khuôn mặt 3D...

Giống như các thế hệ trước, Galaxy S10 sẽ có hai bản, một dùng chip Exynos 9820 và một dùng chip Snapdragon 855. Thông tin gần đây cho thấy Exynos 9820 có sức mạnh xử lý ấn tượng, vượt trội hơn so với Snapdragon 855 của Qualcomm.

 

Bài viết liên quan:

 

 

Nguồn: GenK

Bình luận về bài viết