Sau khi rò rỉ ảnh chụp mặt trước của Galaxy S8 Active xuất hiện vào hồi tháng 5 vừa qua, siêu phẩm siêu bền này tiếp tục xuất hiện trên trang Geekbench cùng số điểm benchmark ấn tượng trong hai bài thử nghiệm đơn và đa nhân.

​

Nếu như đây là điểm số thật thì ở bài thử nghiệm hoạt động đơn nhân S8 Active đạt 1842 điểm và hoạt động đa nhân là 6394 điểm. Ngoài ra, sản phẩm này vẫn sử dụng chip Snapdragon 835 và cài đặt sẵn Android Nougat 7.0.

Nếu so sách tổng quan với một số dòng điện thoại khác thì Galaxy S8 Active cao hơn Galaxy S8 và Xiaomi Mi 6 về hiệu năng, ngang bằng HTC U11, Galaxy S8 + (Snapdragon 835) và Sony Xperia XZ Premium mặc dù khác biệt khá nhỏ.

Theo dự kiến, Galaxy S8 Active thông số kỹ thuật thì hầu như tất cả vẫn được giữ nguyên, có thể dung lượng pin sẽ tăng thêm giống như Galaxy S7 Active (bản thường là 3000mAh, bản active là 4000mAh).